ICeGaN H2 är engelska Cambride GaN Devices andra generation transistorer i galliumnitrid för 650 V med monolitiskt integrerade funktioner som underlättar drivningen samtidigt som robustheten ökar.
– För konstruktörerna ser den ut som MOSFET och man kan använda samma drivare, säger Peter Komiskey på CGN och fortsätter:
– Jag brukar få frågan om det är två kretsar men allt är monolitiskt integrerat.
Rent praktisk eliminerar de adderade funktionerna en del av de problem som annars finns med krafttransistorer i galliumnitrid.
Exempelvis är gaten i CGN:s transitor specificerad för 0–20 V men klarar korta överslängar på upp till 70 V utan att gå sönder. Den är normally off, det behövs alltså ingen negativ spänning för att stänga av den, och så finns inbyggd strömavkänning vilket minskar förlusterna samtidigt som det ger bättre EMI-egenskaper.
Transistorerna i ICeGaN H2H har ett QG som är tio gånger lägre än motsvarande kiseltransistorer och ett QOSS som är fem gånger lägre. Det sänker förluster vid högre switchfrekvenser vilket leder till lägre storlek och vikt.
RDS(on) för H2 är 55 mΩ, 130 mΩ eller 240 mΩ vilket leder till en ström på 27 A, 12 A respektive 8,5 A.
Förstaget startade 2016 och lanserade de första produkterna i fjol. Tillverkningen sker hos TSMC i en vanlig GaN-på-kiselprocess.
– De passar för allt från enkla 65 W-laddare till datore och mobiler med flybacktopologi till flera kilowatt i kraftaggregat till datacenter men primärt är det de förstnämnda som vi satsar på.