Två 600 V GaN-switchar i ett halvbryggsutförande tillsammans med integrerade gatedrivare för både högspännings- och lågspänningssidorna samt en bootstrap-diod. Tanken från Infineon med de nya produkterna är att förenkla för alla som designar kraftelektronik.
Genom att minska antalet externa komponenter gör IGI60L1111B1M, -1414B1M, -2727B1M och -5050B1M i CoolGaN-familjen det enklare att designa mönsterkort vilket annars kan vara utmanande med GaN-komponenter som switchar med betydligt högre frekvenser än motsvarande komponenter i kisel.
Därmed går det att dra nytta av de stora fördelarna som galliumnitrid ger, det vill säga mindre switch- och ledningsförluster liksom mindre storlek, resonerar Infineon.
Modulerna är avsedda för motorstyrsystem med lägre effekter och switchade nätaggregat.
Det finns en PWM-ingång som fungerar med vanliga spänningsnivåer. Modulen drivs av en enda 12 V-matning till gate-driveren, medan ett snabbt underspänningsskydd bidrar till robust funktion vid uppstart och transienta matningsförlopp.
Produkterna kommer i en TFLGA-27-kapsel på 6×8 mm som i många fall kan klara sig utan kylfläns.