Micron har utvecklat ett energisnålt DRAM genom att anpassa minnets återhämtningsström efter den omgivande temperaturen.
Micron Technology senaste familj av synkrona dynamiska RAM, Bat-RAM, påstås sluka ovanligt lite energi. I konstruktionen av minnet har man fokuserat på att dra ner energiförbrukning för att förlänga batteriets drifttid i mobila och trådlösa tillämpningar. Tekniken bygger på en nyutvecklad funktion som ger en effektivare återhämtning, refresh, av DRAM-kretsens minnesceller.
Men hjälp av en yttre temperaturgivare styrs återhämtningen av en mekanism som anpassar återhämtningsströmmen efter den omgivande temperaturen. Vid lägre temperaturer behövs en betydligt lägre ström för att bibehålla minnets laddning än vid varmare förhållanden.
Micron uppskattar att energiförbrukningen för återhämtningen kan minskas med mer än 80 procent för Bat-RAM, jämfört med ett vanligt DRAM.
För närvarande kan man leverera provexemplar av Bat-RAM i storleken 64 Mbit för 2,5 och 3,3 V. Produktionsvolymer kommer under andra kvartalet i år. Innan årets slut avser företaget att även lansera minnen om 128 och 256 Mbit.
Men hjälp av en yttre temperaturgivare styrs återhämtningen av en mekanism som anpassar återhämtningsströmmen efter den omgivande temperaturen. Vid lägre temperaturer behövs en betydligt lägre ström för att bibehålla minnets laddning än vid varmare förhållanden.
Micron uppskattar att energiförbrukningen för återhämtningen kan minskas med mer än 80 procent för Bat-RAM, jämfört med ett vanligt DRAM.
För närvarande kan man leverera provexemplar av Bat-RAM i storleken 64 Mbit för 2,5 och 3,3 V. Produktionsvolymer kommer under andra kvartalet i år. Innan årets slut avser företaget att även lansera minnen om 128 och 256 Mbit.
Lisa Ringström