År 2016 kommer halvledarna att göras med dimensioner kring 9 nm, om utvecklingen följer den rådande trenden. Den transistor som forskare vid IBM Research och IBM Microelectronics nu tagit fram är den första som underskrider detta mått. Dagens minsta massproducerade kretsar ligger kring 90 nm.

Transistorn på 6 nm har åstadkommits med 248 nm-litografi på kisel-på-isolatorsubstrat. En viktig faktor var att man lyckades förtunna tjockleken på kisellagret i substratet till mellan 4 och 8 nm, och ändå lyckats bibehålla till- och frånslagsfunktionen i transistorn.

I massproduktion skulle kretsar med dessa minimala transistorer rymma 100 gånger fler funktioner per ytenhet än med 90 nm-teknik. Mycket arbete återstår dock för att även hastighet och effekttäthet ska skala lika bra som storleken. Det IBM-forskarna gjort är framför allt att demonstrera att den grundläggande transistoridén fungerar även vid dessa dimensioner.

Adam Edström