8 till 10 procents högre klockhastighet, 15 till 20 procent lägre effektförbrukning och 7 till 10 procent fler transistorer per ytenhet. Alla jämförelser gäller den kommande N2P-processen som motsvarar en kanallängd på 2 nm och förväntas komma i produktion slutet av nästa år.