Invertrar med kiselkarbidtransistorer har hittills använts i framförallt premiummodeller. ST Microelectronics vill ändra på det med den fjärde generationen av MOSFET-transistorer i kiselkarbid. De är på 750 V och 1200 V och har mindre förluster, högre effektdensitet och är dessutom robustare än sina föregångare.