JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Viktigt steg mot nanotransistorer

Viktigt steg mot nanotransistorer

Forskare vid IBM och två amerikanska unversitet har utvecklat metoder för att skapa nanotrådar med skarpa gränser mellan olika material. Den kompetensen är nödvändig för att kunna skapa effektiva transistorer av nanostrukturerna.
Att göra heterostrukturer, alltså element med skarpa gränser mellan olika material som exempelvis kisel och germanium, har hittills inte varit möjligt i nanovärlden. Nu har dock forskare vid IBM, Purdue University och UCLA lyckats med detta, och hävdar att man därmed tagit ett viktigt steg mot att kunna skapa transistorer av nanotrådar.

Metoden forskarna visar går ut på att först hetta upp minimala partiklar av guldaluminiumlegering i en vakuumkammare, och därpå föra in kisel i gasform i kammaren. De smälta guldaluminiumpärlorna absorberar då kislet, och blir övermättat med kisel, vilket gör att kislet fälls ut och skapar nanotrådar. Varje sådan nanotråd förses med en topp av guldaluminium, vilket gör att de får en svampliknande form.

Därpå sänks temperaturen i vakuumkammaren så att guldaluminiumhuvudet stelnar. Då går det att deponera germanium på kislet i precisa mängder, vilket skapar en heterostruktur av kisel och germanium. Denna struktur blir en transistorgrind, som kan fås att switcha till och från.

Forskarna räknar med att nanoelektronik kommer att komma till användning inom 5–10 år, då dagens halvledarteknik nått vägs ände.

Resultatet är publicerat i senaste utgåvan av Science: Formation of Compositionally Abrupt Axial Heterojunctions in Si/Ge Nanowires, C.-Y. Wen et al.
MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)