JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Samsung visar 8 Gbit fasväxlingsminne
Kretsen är tillverkad i 20 nm och innebär ett rejält kliv uppåt i jämförelse det minne på 1 Gbit i 58 nm som Samsung visade upp i februari.
Kretsen kommer att demonstreras på konferensen International Electron Devices Meeting i Washington nästa vecka och på ISSCC i februari i San Francisco.

Den har en drivspänning på 1,8 V och kan skrivas i 40 Mbyte/s.

Samsung och Micron är de två företag som ligger närmast att kunna erbjuda fasväxlingsminnen kommersiellt. Tekniken är ickeflyktig men har ännu inte lyckats komma ikapp flashminnena storleksmässigt.
MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)