En frekvens (cut-off frequency) på 110 GHz är dubbelt så hög som det gamla världsrekordet.

– Den här är en nivå som man tidigare bara kunde uppnå i kiselgermanium, säger professor Peter Ashburn.

Genom att dopa med fluor har forskarna lyckats dämpa bordiffusionen i transistorbasen. Då blir basen trängre och elektronerna tar sig igenom den snabbare. Tekniken finns beskriven i en teknisk rapport (länk) .

Forskningen har skett i samarbete med ST Microelectronics.

Peter Ashburn tror sig kunna öka frekvensen med ytterligare 50 procent.