De japanska halvledarjättarna Toshiba och NEC har anslutit sig till IBMs utvecklingssamarbete för att ta fram en halvledarprocess för geometrier kring 28 nm.
Både Toshiba och NEC har deltagit i tidigare IBM-ledda konsortier för halvledarutveckling, sedan 2007 respektive 2008. Nu har de dock skrivit avtal även om utveckling av teknik för 28 nm-noden.Processen ska få metallgrindar med högt k-värde (HKMG, high-k metal gate), och är tänkt för konsumenttillämpningar med krav på låg effektutveckling, för exempelvis mobil kommunikation och fordonselektronik. En viktig poäng är att konstruktioner ska kunna flyttas från IBMs befintliga 32 nm-teknik till 28 nm utan stora krav på omkonstruktion.
NEC ska bidra med sin egenutvecklade eDRAM-teknik för minnen inbyggda i system på kisel.
I IBM-alliansen för 28 nm ingår sedan tidigare kiselsmedjorna Chartered och Globalfoundries (f.d. AMDs produktion), samt halvledarbolagen Infineon, Samsung och ST Microelectronics.
När 28 nm-tekniken ska bli produktionsfärdig anges inte, inte heller exakt vilka prestanda den väntas få.