På 17 månader har konsortier som leds av Micron och Samsung tagit fram en specifikation för hur DRAM kan staplas på höjden för att förbättra prestanda i till exempel nätverksutrustning och servrar. Tekniken bygger på att anslutningarna mellan minnena görs med viahål genom kislet istället för att leda ut signalerna till kanten av minnet.

Arbetet går nu vidare med nästa version som ska öka datatakten från dagens 10, 12,5 respektive 15 Gbit/s till 28 Gbit/s för kommunikation med modulen. Dessutom kommer datatakten inuti själva minnesmodulen att öka från 10 Gbit/s till 15 Gbit/s.

Även om specifikationen nu är klar finns det inga uppgifter i pressmeddelandet om när de första produkterna ser dagens ljus. Micron har tidigare sagt att företaget ska börja leverera minneskuber på 2 och 4 Gbyte före sommaren. De kommer att ha en total datatakt för på 160 Gbyte/s.

Konsortiet har samlat över hundra företag. Förutom Micron och Samsung deltar SK Hynix, Arm, HP, IBM och såklart Xilinx och Altera. Av de andra större tänkbara användarna saknas Intel och Nvidia.