Amerikanska Littelfuse – specialiserat på kretsar som skyddar elektronik – har släppt en plattform för utvärdering av gatedrivare i kiselkarbid. Tanken är att den ska underlätta för konstruktörer, så att de bättre förstår hur SiC-tekniker fungerar vid kontinuerlig drift.
Plattformen, kallad GDEV, kan användas för att utvärdera MOSFET:ar och Schottky-dioder i kiselkarbid, men också andra komponenter som driver en gate. GDEV är kort för Gate Drive Evaluation Platform.
– GDEV är ett viktigt tillägg till vår SiC-portfölj eftersom kiselkarbid fortfarande är relativt nytt och det finns en del som ännu inte är känt när det gäller hur driftsegenskaperna påverkas under olika förhållanden, säger Corey Deyalsingh, ansvarig för kraftstyrning på Littelfuse i ett pressmeddelande.
Plattformen har anslutningar som gör det möjligt att snabbt och överensstämmande jämförelse olika drivkretsar vid kontinuerlig drift samt nominell spänning och märkström. Det är något Littelfuse hävdar att de flesta alternativa utvärderingsplattformar för kiselkarbid inte klarar.
Likaså kan den användas för att analysera hur SiC-konstruktioner inverkar på systemnivå. Här handlar det om att exempelvis se hur verkningsgrad och EMI liksom storlek, vikt och pris på de passiva komponenterna påverkas.
Plattformen kan även hjälpa utvecklare att:
• Jämför prestanda hos olika SiC-lösningar vid väldefinierade och optimerade testförhållanden
• Testa gatedrivare under kontinuerliga arbetsförhållanden för att utvärdera grindens termiska prestanda och EMI-immunitet.
Den nya plattformen stöder inspänningar upp till 800 V och switchfrekvenser upp till 200 kHz.