Kistaföretaget Ascatron, specialist på att skapa epitaxistrukturer för komponenter i kiselkarbid, har hittills i år säkrat cirka 27 miljoner kronor från investerare. Senast i raden är Quadrivio, ett av Italiens större investmentbolag, samt italienska Como Venture som totalt ger de två 16,7 procents ägarandel i det svenska företaget.  |
| Christian Vieider |
Pengarna ska användas för produktutveckling.
– Närmast fokuserar vi på en diod för hög temperatur och 3,3 kV. Den demonstrerar vår teknik och den vill vi ta ut på marknaden.
En intressant detalj i den färska dealen är ett motköp. Det betyder att Ascatron blir delägare i det italienska startup-bolaget Pilegrowth Tech, som de två italienska investerarna också finansierar.
Pilegrowth har tagit fram teknik för att kombinera olika halvledarmaterial – det kan exempelvis vara galliumnitrid, germanium eller kiselkarbid – på vanligt kiselsubstrat. I företagets koncept ingår metoder för hur man sammanfogar kisel med de olika materialen på ett sätt som gör att missanpassningen mellan de två materialens strukturer blir minimal.
Ascatron och Pilegrowth började att samarbeta så smått för två år sedan.
– Samarbetet började med att vi skulle demonstrera deras koncept genom att tillverka enligt deras design. Det innebar att vi kom i kontakt med deras finansiärer, som nu gått in i Ascatron, säger Christian Vieider.
Det som intresserat italienarna är de synergier som finns mellan de två företagen.
Pilegrowth har ett koncept, men varken kunnande eller egna resurser för att realisera sin teknik. Ascatron kan tillverka och är specialist på att gro epitaxi på tredimensionella ytor.
– De komponenter vi hittills utvecklat bygger på substrat i kiselkarbid, sen växer vi mer kiselkarbid på det för att få rätt egenskaper på komponenten. För oss är det här en möjlighet att i framtiden även kunna jobba med komponenter där basen är kisel.
När man odlar kiselkarbid på kiselsubstrat, dvs gör heteroepitaxi, får man en lite annan typ av kiselkarbid, kallad kubisk kiselkarbid. Så blir det eftersom basen, kisel, är kubiskt.
En stor fördel är att kubisk SiC har ett bandgap som ligger någonstans mellan kisel och den vanliga kiselkarbid, kallad 4H-SiC.
– Ett högt bandgap gör att man får en ganska hög tröskelspänning. Det spelar ingen roll för riktigt högspända komponenter, men de SiC-komponenter som vi och alla andra hittills utvecklat är inte speciellt konkurrenskraftiga under 1 000 V, förklarar Christian Vieider.
För kubisk kiselkarbid ligger denna gräns vid betydligt lägre spänningar. Därför tror man att det finns potential att göra konkurrenskraftiga komponenter ner till några hundra volt.
Till detta hör också att det går att gro en bra oxidkvalitet på kubisk kiselkarbid, vilket inte är lika lätt på vanlig hexagonal kiselkarbid.
– Det ger bra förutsättning för att göra en bra MOSFET. Vi ser att om man kan göra SiC-komponenter på kiselsubstrat så kan man adressera helt annan tillämpningar, som är mer priskänslig.
Sedan i våras har samarbetet mellan Ascatron och Pilegrowth intensifierats. Nu arbetar företagen för att utveckla tekniken och verifiera att det går att få fram ett bra material.
– Så fort det är gjort har vi relativt kort väg till att kunna demonstrera en första komponent, säger Christian Vieider och förklarar:
– På Acreotiden, innan vi startade Ascatron, samarbetade vi mycket med japanska Hoya. De hade en stor satsning på kubisk SiC som de lade ner, men vi har mycket erfarenhet av att göra komponenter på kubisk SiC.