ELECTRONICA På jättemässan Electronica, som just nu pågår i München, utökar japanska Rohm sin kiselkarbidportfölj. Dels lanserar företaget en SiC-modul för 1 200 volt och 300 ampere. Dels presenterar företaget en första MOSFET i SiC med trench-struktur.
– För två år sedan var vi först med att masstillverka rena SiC-moduler. Nu uppgraderar vi vår portfölj med moduler som hanterar hela 300 V, säger Jochen Hüskens, marknadsansvarig för SiC-produkter hos Rohm Semicductor, till Elektroniktidningen.Tidigare moduler i samma familj hanterar 120 A och 180 A.
Den nya modulen, kallad BSM300D12P2E001, är likt de övriga modulerna en halvbrygga. Den innehåller MOSFET:ar och Schottky Barrier Diode (SBD) – båda i SiC – liksom NTC-termoelement.
För att kunna leverera 300 A parallellkopplas upp till 16 transistorer. Allt ryms i en modul som är 152 x 62 x 20,8 mm.
– Med denna modul siktar vi på att ersätta IGBT:er i kisel. Vår modul har betydligt lägre switchförluster, hela 77 procent lägre än en IGBT-modul med motsvarande prestanda.
Samtidigt avslöjar det japanska företaget planer på att släppa en MOSFET i kiselkarbid med trench-struktur. De första proverna väntas finnas framme i början av nästa år. Till en början handlar det om disktreta transistorer för 1200 V och 650 V.
– De nya transistorerna med trench-design har en on-resistans som är halverad jämfört med våra planara transistorer, medan de har samma stabila gate-oxid. De är snabbare, mer kompakta och har en switchförlust som är upp till 30 procent lägre, säger Jochen Hüskens.
Volymtillverkningen av transistorer med trench-struktur väntas dra igång under andra halvan av nästa år.