JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. ST och Innoscience i GaN-samarbete

Samtidigt som Innoscience är indraget i två patentprocesser kring GaN-teknik initierade av amerikanska EPC och tyska Infineon har ST Microelectronics inlett ett samarbete med det kinesiska bolaget. ST får tillgång till Innoscience resurser i Kina medan Innoscience får tillgång till ST:s resurser i framförallt Europa.

Bolagen ska utveckla GaN-komponenter tillsammans men avtalet ger också Innoscience tillgång till ST:s fabbar utanföra Kina för att tillverka GaN-chip.

ST kan å sin sida utnyttja Innoscience fabbar i Kina för sina GaN-produkter.

Inget sägs om omfattningen eller hur länge avtalet gäller, eller om några pengar byter händer.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vakant

Sälj och marknads­föring +46(0)734-171099 ads@etn.se
Per Henricsson
Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

 
Jan Tångring
Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)