About / Advertise 
Galliumnitrid har hittills haft svårt att konkurrera med kiselkarbid i de högsta spänningsklasserna. Power Integrations vill ändra på det med en ny GaN-teknik som klarar 2200 volt – tillräckligt för framtidens 1500-voltsarkitekturer i AI-datacenter.
Power Integrations har demonstrerat sin PowiGaN-teknik med en märkspänning på 2200 V. Enligt företaget är det den högsta spänningen hittills för kommersiellt tillgänglig GaN-teknik.
Det intressanta är inte bara själva spänningsnivån. GaN har hög switchfrekvens och låga switchförluster, men den begränsade spänningståligheten har gjort att kiselkarbid, SiC, fått dominera de högre spänningsnivåerna. Med 2200 V börjar GaN därför kliva in på ett område som hittills varit SiC:s hemmaplan.
Det gäller inte minst AI-datacenter. Dagens nya arkitekturer går mot en 800 VDC-buss, medan färdplanerna redan pekar mot distribution på 1500 V. En komponent som tål 2200 V ger den marginal som krävs för sådana system.
Power Integrations har redan 1250 V PowiGaN för huvudmatningen i 800 VDC-datacenter och 1700 V-versioner för hjälpkraft. Den nya 2200 V-tekniken är däremot ännu en teknikdemonstration och inte en lanserad produkt.
Enligt analysföretaget Yole har just spänningsgränsen hittills hållit GaN borta från datacentrets huvudsakliga effektväg och lämnat marknaden åt SiC. Med 2200 V förändras den ekvationen.
