About / Advertise
Två olika forskarlag har presenterat tekniker som kan utnyttjas för att konstruera kretsar i nanoskala. Teknikerna innebär att enskilda kolnanorör kan fås att fungera som transistorer.
Två metoder som båda skulle kunna utnyttjas för framtida storskalig tillverkning av kretsar som bara mäter cirka tio nanometer har utvecklats av forskare i USA och Europa.
En självorganiserande konstruktionsmetod presenterades nyligen av en grupp forskare från Cambridge University i England, IBMs forskningslab i Zurich och Université de Neuchâtel i Schweiz. Och nu har IBM-forskare i USA demonstrerat en alternativ teknik.
För att kolrör i nanostorlek ska kunna utnyttjas som transistorer måste forskarna först utveckla enkla, men pålitliga metoder för att skapa och manipulera kristaller av enväggiga kolnanorör med halvledande egenskaper.
Den europeiska gruppen gör detta genom att förånga en kontrollerad blandning av C60-molekyler genom nanometerstora hål, varefter de deponeras på ett substrat. De resulterande strukturerna värmebehandlas sedan i vakuum och ett magnetfält.
Gruppen har hittills lyckats skapa kvadratmillimeterstora uppställningar av kolnanorör, men poängterar att tekniken är så enkel att även större uppställningar skulle kunna framställas. Det viktiga framsteget är enligt forskarna själva att man har lyckats åstadkomma perfekt ordning i leden av kolnanorör. Forskarna hävdar att de redan nu kan placera kristaller inom en nanometers noggrannhet. I framtiden hoppas de kunna utnyttja metoden för exakt placering av kolnanorör i en krets.
Det amerikanska forskarlaget har valt en annan väg. De utnyttjar istället ströminducerad oxidering för att skapa individuella halvledande kolnanorör. Med den metoden menar forskarna att det är möjligt att förändra enstaka kolnanorör från att fungera som en metall till att bli halvledande, och på så vis skapa individuella transistorer.
En självorganiserande konstruktionsmetod presenterades nyligen av en grupp forskare från Cambridge University i England, IBMs forskningslab i Zurich och Université de Neuchâtel i Schweiz. Och nu har IBM-forskare i USA demonstrerat en alternativ teknik.
För att kolrör i nanostorlek ska kunna utnyttjas som transistorer måste forskarna först utveckla enkla, men pålitliga metoder för att skapa och manipulera kristaller av enväggiga kolnanorör med halvledande egenskaper.
Den europeiska gruppen gör detta genom att förånga en kontrollerad blandning av C60-molekyler genom nanometerstora hål, varefter de deponeras på ett substrat. De resulterande strukturerna värmebehandlas sedan i vakuum och ett magnetfält.
Gruppen har hittills lyckats skapa kvadratmillimeterstora uppställningar av kolnanorör, men poängterar att tekniken är så enkel att även större uppställningar skulle kunna framställas. Det viktiga framsteget är enligt forskarna själva att man har lyckats åstadkomma perfekt ordning i leden av kolnanorör. Forskarna hävdar att de redan nu kan placera kristaller inom en nanometers noggrannhet. I framtiden hoppas de kunna utnyttja metoden för exakt placering av kolnanorör i en krets.
Det amerikanska forskarlaget har valt en annan väg. De utnyttjar istället ströminducerad oxidering för att skapa individuella halvledande kolnanorör. Med den metoden menar forskarna att det är möjligt att förändra enstaka kolnanorör från att fungera som en metall till att bli halvledande, och på så vis skapa individuella transistorer.
Gittan Cedervall
