About / Advertise
Med en enkel och billig minnesteknik utvecklar Infineon och Saifun ett flashminne som lagrar två bitar per transistor i stället för en. Cellstorleken kan därmed krympas till en tredjedel av den hos vanliga flashminnen.
 |
| Transistorn i NROM är en MOSFET där det dielektriska skiktet i grinden ersätts med ett oxid-nitrid-oxid lager som kan lagra två fysiska bitar per cell. |
Flashminnet, som ska utvecklas och tillverkas inom samriskföretaget Ingentix, bygger på Saifun Semiconductors patenterade NROM-teknologi. NROM står för Nitrided Read Only Memory, och bygger på en transistor där det dielektriska skiktet i grinden ersätts med ett oxid-nitrid-oxid lager. Detta fungerar som ett aktivt lagringselement som kan lagra två bitar per cell. På så sätt kan varje transistor lagra dubbelt så mycket information.
- NROM är en enkel och kompakt lagringsteknik. Vanliga flashminnen och EEPROM tar tre respektive sex gånger så stor yta, säger Boaz Eitan, grundare av Saifun.
NROM-minnen kan tillverkas på en vanlig CMOS-lina och behöver bara ett par extra masker, vilket håller nere produktionskostnaderna.
De nya flashminnet siktar på marknaden för multimediakort och inbyggda tillämpningar. Ingentix kommer till en början att satsa på tillverkning av så kallade Multi Media Card (MMC), ett kompakt kortformat för lagring av data inom multimedia som lanserats av Infineon som ett alternativ till det vanligare lagringsformatet Compact Flash. Korten hoppas man ska hitta en marknad för digital lagring av bild och musik samt för säkerhetstillämpningar.
Första produktlanseringen blir ett 64 Mbyte MMC-kort som kommer under det tredje kvartalet 2002. I framtiden avser man att använda tekniken som ersättning för andra minnesprodukter som EEPROM och massminnen.
Infineon äger 51 procent av Ingentix och ska bidra med sin kunskap inom DRAM-tillverkning och sin produktionspark i Dresen. Saifun står för de resterande 49 procenten. Företaget kommer att ha kontor både i München i Tyskland samt i Netanya i Israel.
Lisa Ringström
