About / Advertise
IBM är inte längre ensamma om en SOI-process för mikroprocessorer. Samsung har avslöjat att man har en liknande process inte bara för minnen utan även för processorer.
Koreanska Samsung har utvecklat en kisel-på-isolatorprocess för mikroprocessorer som man planerar att använda bland annat för Alpha-kretsar. Företaget har även en kisel-på-isolatorprocess, SOI-process, för tillverkning av DRAM-kretsar.
Mikroprocessorer tillverkade med hjälp av SOI-processer får cirka 20 procent bättre prestanda än de som tillverkats i konventionella CMOS-processer.
Det är också möjligt att istället för kretsar med högre prestanda göra kretsar med betydligt lägre energiförbrukning. I vilket fall som helst finns fördelar - men till priset av en mer komplicerad process.
Till skillnad från den SOI-process som IBM nyligen presenterat utnyttjar Samsung helt tömda (fully depleted) transistorer i sin process. IBMs process baseras däremot på delvis tömda transistorer. Helt tömda transistorer har ingen oladdad region, vilket har vissa fördelar och tekniken ger god kontroll vid långa kanallängder. Däremot har möjligheterna att tillämpa tekniken för olika storlekar ifrågasatts.
1,5 GHz i nästa generation
Samsung har även inkluderat en del andra nyheter i sin process. Litografering vid 0,25 μm uppnås exempelvis med en KrF-laser. Nästa generation av processen kommer att utnyttja 0,18 μm litografi för att skapa processorer med hastigheter på 1,5 GHz eller mer.
Samsung säger sig även ha utvecklat ett eget kopparbaserat kretskopplingssystem. I dagsläget kan denna tillämpas för metallsystem med fyra lager, men företaget hoppas öka det till sex metallager när processen ska börja utnyttjas för masstillverkning.
Gittan Cedervall
