About / Advertise
Direct Rambus DRAM, SLDRAM eller kanske VCM. Buden om hur DRAM-kretsarna ska få större bandbredd är många.
The virtual channel memory, VCM, från japanska NEC är det senaste i raden av förslag på hur DRAM-kretsarna ska få högre bandbredd. VCM-kärnan i kombination med ett snabbt gränssnitt är därmed en direkt utmanare till Direct Rambus DRAM. Den lösning som förespråkas av Intel, både för enklare konsumentdatorer och kraftfullare servrar.
Flera tillverkare överväger nu att anamma VCM, skriver Electronic Engineering Times. Förutom NEC är även förlusttyngda Siemens på väg att lansera ett 64 Mbit DRAM med VCM-kärna. Andra företag som uppges hoppa på tåget är Micron, Hyundai/LG Semicon och Samsung.
Även i SLDRAM
Dessutom planerar SLDRAM-konsortiet, tidigare kallat Synclink, att erbjuda VCM- kärnan som ett tillval till det 128 Mbit SLDRAM som är under utveckling
VCM-tekniken baseras på förbättringar av själva kärnan i DRAM-minnet. Vanliga DRAM får en fördröjning på flera klockcykler när en ny sida i minnet adresseras. Fördröjningen beror på att det tar tid att aktivera rätt adressbuss och sedan flytta data via förstärkaren till utgången. För att minska problemet har många tillverkare delat upp minnet i flera bankar med förhoppningen att nästa data som ska hämtas finns i en aktiv bank.
Med VCM minskas problemet genom att programmet som kontrollerar minnet öppnar en virtuell kanal till ett SRAM som fungerar som buffert. Genom att flera virtuella kanaler kan öppnas parallellt minskar risken för datamissar.
Metoden är standardiserad av Jedec och därmed gratis för alla som vill använda den.
Per Henricsson
