About / Advertise
Flashminnen som lagrar stora mängder data spås en ljus framtid. Det märks bland halvledartillverkarna.
Just nu pågår en febril aktivitet i flashminnestillverkarnas labb. Målet är att ta fram minnen som kan lagra stora mängder data, men som ändå inte tar alltför stor plats. Det som lockar är nya tillämpningar, exempelvis digitala kameror och digitala telefonsvarare.
Under året har flera företag avslöjat att de, likt Sandisk och Intel, kommer att satsa på flashminnen som kan lagra två bitar per minnescell.
Först ut var Mitsubishi och ST Microelectronics som redan i februari tillkännagav att de tänker utveckla ett flashminne med flernivåslagring på 64 Mbit. Minnet blandar DiNOR- och NOR-arkitektur och skall börja tillverkas i volym under nästa år.
Efter sommaren steg Mitsubishi återigen fram i rampljuset. Nu tillsammans med Hitachi. Företagen utvecklar ett 256 Mbit flernivåsflash i AND-arkitektur (se Elektroniktidningen 13/98). Mitsubishi planerar att släppa prover av kretsarna redan mot slutet av året, medan Hitachi kommer med sina tätt därpå.
Toshiba satsar också på flashminne som kan lagra stora mängder data. Däremot har företaget inte bestämt om flernivåslagring hör framtiden till. Just nu håller Toshiba på att utvärdera om ett NAND-minne i flernivåsteknik på 128 Mbit skall introduceras.
Klart är dock att Toshiba kommer med allt större, traditionella, NAND-minnen framöver. Idag finns 128 Mbit i volym, medan 256 Mbit kommer i prover senare i år. I planen ligger dessutom att ett 1 Gbit-minne skall släppas år 2001.
Följeslagarna AMD och Fujitsu, tycks ha lite olika åsikter om flernivåslagring. Fujitsu har inte helt förkastat tekniken, utan undersöker dess för- och nackdelar just nu. AMD, däremot, menar att flernivåslagring inte är rätt väg att gå för att tillverka stora flash. Istället satsar AMD, tillsammans med Fujitsu, på NAND-minnen för enbitslagring. De första provexemplaren om 64 Mbit släpper företagen i slutet på året.
Minneskortstillverkaren Sandisk - som var först ut med flernivåslagring - har flera kretsar i sin portfölj. Störst är ett på 80 Mbit, men under nästa år kommer ett på 160 Mbit och året därpå ett på 256 Mbit.
Intel - som skapat trenden att tillverka flernivåsminnen - volymproducerar kretsar på 32 Mbit och 64 Mbit. Planen är att släppa 128 Mbit nästa år. Intel hoppas dessutom att en teknik som kan lagra tre bitar per minnescell skall vara mogen om cirka tre år.
AW
