About / Advertise
Både Infineon och ST Microelectronics är snart redo att lansera ferroelektriska minneskretsar. Infineon satsar på ett fristående 8 Mbit-minne medan ST vill integrera FRAM i smarta kort.
Infineon, som nyligen slöt ett samarbetsavtal med IBM rörande magnetresistiva minnen, har nu även köpt rättigheter till patent för tillverkning av ferroelektriska minnen som innehas av Ramtron. Dessutom har företaget genom ett avtal med Toshiba sett till att man kan göra provexemplar av 8 Mbit-minnen baserade på en ferroelektrisk konstruktion redan i mars i år.
8 Mbit-minnet är utvecklat av Toshiba och båda företagen räknar med att sälja versioner av det. Enligt företagen kommer en 32 Mbit-version i slutet av 2002. Och om FRAM-kretsarna blir en succé kommer de båda företagen att utöka sitt samarbete till 64 Mbit och 128 Mbit.
Eftersom FRAM-kretsar är energisnåla och snabba att läsa och skriva är de idealiska för integrering i systemkretsar till bärbar elektronikutrustning. Likaså är det en teknik som lämpar sig utmärkt för kontaktlösa smarta kort. Detta har ST tagit fasta på. Företaget kommer att visa upp resultaten av sitt tvååriga samarbete med belgiska Imec i februari och FRAM-teknik integrerad i smarta kort lär ska höra till de första produktidéerna. Tillsammans med Imec har företaget lyckats integrera FRAM-tekniken i STs CMOS-process.
Infineon att börja med fristående minnen. Så småningom funderar man dock på att kombinera tekniken med logik. I samarbetet med Toshiba kommer det japanska företaget att stå för den entransistor-, enkondensatorarkitektur som företaget utvecklat för 8 Mbit-kretsen.
Infineon bidrar med sitt kunnande vad gäller ökningen av antalet läs- och skrivcykler samt hur man löser problem med metallföroreningar vid tillverkningen. Ramtron får också tillgång till den tekniken i och med avtalet med Infineon, som för Infineons del var en förutsättning för avtalet med Toshiba.
8 Mbit-minnet är utvecklat av Toshiba och båda företagen räknar med att sälja versioner av det. Enligt företagen kommer en 32 Mbit-version i slutet av 2002. Och om FRAM-kretsarna blir en succé kommer de båda företagen att utöka sitt samarbete till 64 Mbit och 128 Mbit.
Eftersom FRAM-kretsar är energisnåla och snabba att läsa och skriva är de idealiska för integrering i systemkretsar till bärbar elektronikutrustning. Likaså är det en teknik som lämpar sig utmärkt för kontaktlösa smarta kort. Detta har ST tagit fasta på. Företaget kommer att visa upp resultaten av sitt tvååriga samarbete med belgiska Imec i februari och FRAM-teknik integrerad i smarta kort lär ska höra till de första produktidéerna. Tillsammans med Imec har företaget lyckats integrera FRAM-tekniken i STs CMOS-process.
Infineon att börja med fristående minnen. Så småningom funderar man dock på att kombinera tekniken med logik. I samarbetet med Toshiba kommer det japanska företaget att stå för den entransistor-, enkondensatorarkitektur som företaget utvecklat för 8 Mbit-kretsen.
Infineon bidrar med sitt kunnande vad gäller ökningen av antalet läs- och skrivcykler samt hur man löser problem med metallföroreningar vid tillverkningen. Ramtron får också tillgång till den tekniken i och med avtalet med Infineon, som för Infineons del var en förutsättning för avtalet med Toshiba.
Gittan Cedervall
