About / Advertise
Infineons svenska utvecklingsavdelning i Kista har tagit fram en ny basbandskrets för Decttelefoner. Nästa steg, som ska vara klart mot slutet av året och sänker tillverkningskostnaden för en Decttelefon med upp till 40 procent, är att integrera effektförstärkaren och rf-delen med basbandsdelen.
Utvecklingen av kretsar till Decttelefoner sysselsätter mellan 40 och 50 personer hos Infineon i Kista och är ett av kontorets största projekt. I dagarna har företaget lanserat den första svenskutvecklade variant av basbandskretsen Step8.– Vi har gjort den i samarbete med utvecklingsavdelningen i Kina men större delen av arbetet är gjort här, säger Ulf Magnusson på Infineon.
Step8 är den åttonde generationen av basbandskretsen. Den har bland annat fått ytterligare en applikations-DSP för att kunna hantera polyfoniska ringsignaler, hands-free med full duplex och färgskärm.
Kretsen kommer i tre varianter med olika prisnivå, det blir en avskalad lågprisvariant, en variant för dyrare telefoner och en variant för basstationen.
Infineon säljer basbandskretsen tillsammans med en rf-krets för sändsaren/mottagaren och en effektförstärkare.
Just nu arbetar man i Kista med att integrera även effektförstärkaren och rf-delen med i samma krets som basbandet. Den nya enkretslösningen, som går under beteckningen Cosic, ska sänka tillverkningskostnaden för en Decttelefon med upp till 40 procent.
– Vi har kört ut olika teststrukturer så vi vet vilka effekter vi kan förvänta oss, säger Ulf Magnusson.
Det handlar bland annat om att digitaldelen inte får störa PLL-blocken i analogdelen. För att klara det måste arkitekturen vara robust och så separerar man delarna så gott det går. Även om det kan låta svårt verkar Ulf Magnusson inte tycka att det är oöverstigligt.
– Vi har erfarenheter från GSM och från Bluetooth med liknande projekt, säger han.
GSM-kretsen, som utvecklats i Tyskland, innehåller dock inte effektförstärkaren. Det beror på att uteffekten är för hög. För en mobiltelefon är uteffekt upp till 35 dBm (3W) medan en Bluetoothkrets beroende på modell har en typisk uteffekt på 20 dBm (100 mW). Decttelefonen ligger däremellan med sina 27 dBm (0,5W).
Kretsarna tillverkas i Infineons fabrik i tyska Dresden och processen är ren CMOS med en kanallängd på 0,13 ym.
De första proverna ska finnas framme mot slutet av året och volymproduktionen är planerad till tredje kvartalet nästa år.
