About / Advertise
Finfet-tekniken ger mindre variation, mindre läckströmmar och tillåter tätare placering av transistorer. Det bekräftar det belgiska forskningsinstitutet Imec i en studie.
Imec tillverkade SRAM-minnen dels i två olika finfettekniker, dels i en klassisk planär teknik och fann att finfetteknikerna var överlägsna för minnessarrayer med storlekar mellan 128 och 512 kbyte. Det speciella med Imecs test var att den omfattade hela arrayer av minnesceller, inte bara enskilda celler. När processtekniken krymper växer betydelsen av individuella slumpmässiga skillnader mellan transistorer. Två transistorer intill varandra som borde vara identiska kan ha vitt skilda elektriska egenskaper. Finfetteknik krymper denna variation. Konstruktören kan exempelvis sänka spänningsmatningen eftersom risken är mindre att transistorer som inte har tillräcklig tolerans för låg spänning förstör kretsen.
Vad gäller ickedopad finfet på kisel-på-isolator, så kallad Soiff, kunde spänningsmatningen sänkas med 200 mV jämfört med planär teknik i Imecs studie. Den som tillverkar en 32 Mbit-array i Soiff matad med låga 0,7 V kan använda hela 95 procent av kretsarna. Högre spänningsmatning skulle tillåta Gbit-arrayer.
Intel är först att rulla ut finfettknik i stor skala. I början av maj avslöjade företaget att dess finfetteknik tri-gate, eller ”3D”, kommer att användas i företagets x86-processor Ivy Bridge när den serietillverkas i 22 nm år.
Källa: Electronics Weekly
