About / Advertise
Sedan två år har den amerikanska halvledartillverkaren On Semiconductor ett forsknings- och utvecklingscentrum inom kiselkarbid i Kista, utanför Stockholm. Här utvecklar och konstruerar företaget enligt egen utsago SiC-kretsar i världsklass.
 |
| David Somo |
– Teamet i Kista är vår teknikhubb för utveckling av kretsar i kiselkarbid, förklarar David Somo, ansvarig för marknadsföring och strategi på On Semiconductor.
Utvecklingsgruppen i Kista – ett tiotal personer – följde med till On Semi när företaget köpte Fairchild för drygt två år sedan. Idag finns det ingen tvivel om att gruppen är en viktig pusselbit i On Semis framtid.
– Sedan vi tog över R&D-centret i Kista har vi investerat i det för att kunna fortsätta att utveckla SiC-kretsar där. Vi har även en liten pilotlina för utveckling av kretsar i Kista.
Utvecklingen i labbet har främst sikte på fordonsindustrin. Där är kretsarna tänkta att användas dels i själva bilen och dels i utrustningen som laddar bilar med eldrift. Den högre verkningsgraden hos kiselkarbid jämfört med kisel bäddar för mindre lösningar som lockar bilindustrin.
– Inom fordonsindustri är Tesla en av de ledande SiC-användarna. Företaget använder kiselkarbid i strömriktaren och i laddaren som finns ombord för att minska vikten och öka effektiviteten, säger David Somo, och fortsätter:
– Genom Tesla har man kunnat demonstrera att den nya generationen SiC-kretsar är tillförlitliga nog att fungera bra i fordon. Så det finns ingen tvivel om att vi måste accelerera vår utveckling för att hålla takten med efterfrågan.
All SiC-utveckling inom On Semi sker som sagt i Kista idag.
Hittills har teamet utvecklat SiC-dioder, som numera tillverkas i volym. Likaså har de första MOSFET:arna i SiC nått produktionsstadiet. Det handlar om 1200V-transistorer som levererar drygt 60 A och har 80 milliohm.
– Den första generationen av kretsar finns i begränsat antal. Nu jobbar vi mot en annan konstruktion som vi ska ta i större volym. Likaså har vi flera generationer som vi jobbar med parallellt, säger David Somo.
Framförallt handlar utvecklingsarbetet om att minska resistansen och därmed switchförlusterna hos SiC-transistorerna.
– Genom att minska den tröskeln kan vi få bättre prestanda, högre verkningsgrad och snabbare switchning i vår nästa generation, och då kan vi också öka strömmen genom dem.
Det högre priset på SiC jämfört med kisel ser han inte som ett problem i framtiden.
– Nej, visserligen är kretsarna dyrare, men tittar du på systemnivå så är det väldigt lite skillnad. Kiselkretsar switchar vid lägre frekvensen och behöver fler passiva kringkomponenter. Med färre kringkomponenter och högre switchfrekvens minskar lösningens storlek, vilket banar väg för SiC i exempelvis i fordon.
