About / Advertise 
Linköpingsbolaget SweGgan tar in 14 miljoner dollar för att skala upp den svenska produktionen av GaN-on-SiC. Bland investerarna finns Wallenberganknutna Thisbe, och materialet ska bland annat användas i radar, satellitkommunikation och nästa generations telekomsystem.
Swegan tillverkar epitaxiella wafers av galliumnitrid på kiselkarbid, GaN-on-SiC, i Linköping. Med den nya finansieringen ska bolaget nu öka produktionskapaciteten och accelerera utvecklingen av nästa generations material.
Kapitalrundan på 14 miljoner dollar, motsvarande omkring 130 miljoner kronor, leds av svenska Thisbe och danska North Ventures tillsammans med befintliga ägare. Totalt har Swegan därmed tagit in 41 miljoner dollar.
Thisbe ger investeringen en tydlig Wallenbergkoppling. Bolaget är ett helägt dotterbolag till FAM och ingår därmed i Wallenbergsfären.
Bakom satsningen ligger en växande efterfrågan på halvledare som klarar högre frekvenser och effekter. GaN-on-SiC kombinerar galliumnitridens egenskaper för högfrekvens- och högeffektelektronik med kiselkarbidens goda värmeledning.
Det gör materialet särskilt intressant för RF-komponenter i bland annat 5G-infrastruktur, satellitkommunikation och radarsystem. SweGaN pekar också ut kraftomvandling i datacenter som ett växande användningsområde.
Försvarsmarknaden är därmed ett av områden där den svenska GaN-produktionen kan få en strategisk betydelse. Moderna radarsystem kräver RF-effektkomponenter som kan arbeta med hög effekt och hög frekvens, ett område där GaN-on-SiC har blivit en viktig halvledarteknik.
Swegan vill samtidigt positionera sig som en europeisk leverantör i en leveranskedja som fått allt större geopolitisk betydelse.
Swegan grundar sin teknik på forskning från Linköpings universitet och har fortsatt att utveckla sin egen epitaxiteknik vid anläggningen i Linköping.
– Finansieringen gör det möjligt för oss att utöka produktionen, accelerera innovationen och bättre betjäna kunder globalt när efterfrågan på högpresterande GaN-material fortsätter att öka, säger vd Jr-Tai Chen.
