About / Advertise
IBM, Chartered och Infineon ska utveckla en gemensam process för halvledarproduktion vid 65 nm. Man hoppas därmed kunna accelerera utvecklingen så att de första kretsarna kan produceras i slutet av 2004.
Halvledarbolagens hetsjakt mot allt finare geometrier går oförtrutet vidare. Idag anses tillverkning vid 130 nm som tämligen avancerat - bara ett fåtal företag har börjat verklig volymproduktion av 90 nm-kretsar. Några har också offentliggjort sina planer för 65 nm.Dit hör IBM, Infineon och foundryt Chartered, som nyligen presenterade ett samarbete. I IBM:s nyinvigda 300 mm-labb i East Fishkill, New York, ska 200 ingenjörer från de tre bolagen utveckla en komplett plattform för produktion av 65 nm-kretsar. IBM bidrar med processteknik, Infineon med expertis inom lågeffektkisel och Chartered med plattformskompetens.
IBM och Chartered kommer båda att implementera den nya processen i sina 300 mm-fabriker, och Infineon kommer att köpa produktionstjänster av båda för att tillgodose sitt behov av 65 nm-kretsar.
Processen ska utvecklas i flera varianter, optimerade för både låg effekt och höga frekvenser. Utvecklingen sker med nästa steg i åtanke, alltså 45 nm. Utvecklarna ska ta till "alla trick i boken", det vill säga kopparförbindningar, dielektrika med såväl låga som höga k-värden, sträckt kisel och kisel på isolator.
Parterna vill inte närmare precisera när produktionen väntas komma igång. Men i våras berättade Chartereds konkurrent TSMC att detta företag tänker leverera sina första kommersiella 65 nm-kretsar i slutet av 2004, och att volymproduktion av system på kisel i 65 nm-teknik kommer att dra igång 2005. Gissningsvis siktar det nybildade samarbetet på att ligga åtminstone i samma härad.
IBM har samarbetat länge med såväl Infineon som Chartered. Detta är dock det första projektet där alla tre bolagen deltar.
Adam Edström
