About / Advertise
Hur är det med tillförlitligheten hos dagens komponenter i kiselkarbid? Går det att lita på MOSFET:ar i SiC eller kraftmoduler baserade på SiC-kretsar? Det är frågor som tas upp under ett seminarium arrangerat av WBG Power Center den första april på KTH.
WBG Power Center – ett initiativ av Rise, KTH och det nystartade metallforskningsinstitutet Swerim – har i uppgift att sprida kunskap kring halvledare med brett bandgap, såsom SiC och GaN, och att nå ut till nya aktörer, främst företag.
Nu är det spikat att centret anordnar ett seminarium med fokus på tillförlitlighet hos SiC om dryga två veckor. Josef Lutz – professor vid tyska Chemnitz University of Technology – är inbjuden att dela med sig av sin erfarenhet under seminariet döpt till ”Ruggedness and Reliability of SiC Devices and Modules”.
Josef Lutz har lång erfarenhet av kraftelektronik. I över 30 år har han forskat i ämnet, med speciellt intresse för kraftkomponenter, robusthet och tillförlitlighet och han har skrivit boken "Semiconductor Power Devices - Physics, Characteristics, Reliability".
I det aktuella seminariet tar Josef Lutz upp tillförlitligheten hos MOSFET:ar i kiselkarbid samt kraftmoduler med kiselkarbidkomponenter. Likaså kommer Peter Bennich på Energimyndigheten att presentera initiativet PEKTA, som siktar på effektivare energiomvandling, medan WBG Power Center informerar Energimyndighetens program ”Bredbandgapselektronik i energieffektivare kraftelektroniktillämpningar”.
Seminariet – som är öppet för alla – är ett i en serie av seminarier som anordnas av WBG Power Center. Det hålls måndagen den första april mellan klockan 10 och 12:30 på KTH, Brinellvägen 23, sal B3.
Anmäl ditt intresse genom mail till Den här e-postadressen skyddas mot spambots. Du måste tillåta JavaScript för att se den..
