
BMW använder SiC-MOSFET:ar från ROHM i kraftelektroniken i den nya elbilsplattformen Neue Klasse. Komponenterna ingår i koncernens sjätte generation av elektriska drivlinor.
Neue Klasse bygger på en 800-voltsarkitektur, och BMW använder kiselkarbidhalvledare i drivlinans växelriktare. Den omvandlar likströmmen från högvoltsbatteriet till växelström för elmotorn och är integrerad i motorhuset.
Ett 800-voltssystem kräver inte kiselkarbid. Systemet kan också byggas med traditionella kiselbaserade IGBT:er. Men vid höga spänningar blir SiC-MOSFET:arnas lägre lednings- och switchförluster särskilt värdefulla. Det ger högre verkningsgrad, mindre värme och gör det möjligt att bygga kompaktare kraftelektronik.
Enligt ROHM bidrar företagets SiC-MOSFET:ar till högre energieffektivitet och tillförlitlighet under krävande förhållanden. Lägre förluster i kraftelektroniken bidrar i sin tur till bättre räckvidd och laddprestanda.
– Integrationen av våra SiC-MOSFET:ar i BMW:s Gen 6, bättre känd som Neue Klasse, visar vår tekniska kompetens inom kraftelektronik för fordon, säger Wolfram Harnack, vd för ROHM Semiconductor GmbH.




