JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. BMW:s Neue Klasse bygger på kiselkarbid

BMW använder SiC-MOSFET:ar från ROHM i kraftelektroniken i den nya elbilsplattformen Neue Klasse. Komponenterna ingår i koncernens sjätte generation av elektriska drivlinor.

Neue Klasse bygger på en 800-voltsarkitektur, och BMW använder kiselkarbidhalvledare i drivlinans växelriktare. Den omvandlar likströmmen från högvoltsbatteriet till växelström för elmotorn och är integrerad i motorhuset.

Ett 800-voltssystem kräver inte kiselkarbid. Systemet kan också byggas med traditionella kiselbaserade IGBT:er. Men vid höga spänningar blir SiC-MOSFET:arnas lägre lednings- och switchförluster särskilt värdefulla. Det ger högre verkningsgrad, mindre värme och gör det möjligt att bygga kompaktare kraftelektronik.

Enligt ROHM bidrar företagets SiC-MOSFET:ar till högre energieffektivitet och tillförlitlighet under krävande förhållanden. Lägre förluster i kraftelektroniken bidrar i sin tur till bättre räckvidd och laddprestanda.

– Integrationen av våra SiC-MOSFET:ar i BMW:s Gen 6, bättre känd som Neue Klasse, visar vår tekniska kompetens inom kraftelektronik för fordon, säger Wolfram Harnack, vd för ROHM Semiconductor GmbH.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vakant

Sälj och marknads­föring +46(0)734-171099 ads@etn.se
Per Henricsson
Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

 
Jan Tångring
Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)