
När AI-processorer kräver allt högre strömmar blir även mycket små resistiva förluster ett problem. Under Electronica-mässan i München lanserar Nexperia en ny familj GaN-transistorer med en resistans i ledande tillstånd på ned till 0,32 milliohm.
De nya transistorerna täcker spänningsområdet 18 till 200 V och är utvecklade för kraftomvandling med hög verkningsgrad och effekttäthet. Tillämpningarna omfattar bland annat AI-datacenter, robotik, motorstyrning och förnybar energi.
Den låga tillresistansen minskar ledningsförlusterna vid höga strömmar. Tillsammans med GaN-teknikens snabba switchning och låga laddningsvärden gör det möjligt att höja switchfrekvensen och samtidigt begränsa förlusterna. Resultatet kan bli mindre och effektivare DC/DC-omvandlare.
En viktig tillämpning är kraftdistribution med 48 V i AI-servrar. Nexperias transistorer för 100 till 200 V kan användas i resonansomvandlare och synkron likriktning, medan komponenterna för 18 till 40 V lämpar sig för omvandling från 12 V till de spänningar under en volt som moderna processorkärnor behöver.
Flaggskeppet GANE0R8-100QTM är en 100 V-transistor med en typisk tillresistans på 0,75 milliohm. Den levereras i en PQFN-kapsel på 3 × 5 mm med möjlighet till kylning via kapselns ovansida.
Sex komponenter finns tillgängliga nu, med tillresistanser ned till 0,37 milliohm. Under första kvartalet 2027 tillkommer ytterligare två modeller. Den ena, GANE0R3-015QTL för 18 V, får en typisk tillresistans på endast 0,32 milliohm.




