About / Advertise
Analogföretaget National Semiconductor lanserar fyra kretsar, två multiplexrar och två buffertkretsar. Kretsarna kan skicka data med upp till 4,25 Gbit/s, och de har både lägre jitter och effektförbrukning än alternativen.
National Semiconductor ligger bakom LVDS-tekniken och på senare år har gränssittskretsar blivit ett allt viktigare område för företaget. I fjol tog företaget klivet upp till en andra plats på rankinglistan, förbi Maxim. Texas Instruments har dock en ohotad förstaplats. – Sedan vi övergav standardkretsar (commodity) för tre år sedan och började fokusera på höghastighetskretsar har vi ökat vår marknadsandel med drygt tre procentenheter, säger Robert Hinke, marknadschef för National Semiconductor i Europa.
Det är en rejäl förbättring som gör att företaget nu har omkring tio procent av marknaden.
Med det senaste produktsläppet demonstrerar också företaget sin styrka inom gränssnittskretsar. Fyra kretsar för signalkonditionering har presenterats, två buffertkretsar och två multiplexrar.
Buffertkretsarna kommer i två varianter, DS42BR400 samt DS25BR400, där den förstnämnda kan skicka data med upp till 4,25 Gbit/s och den andra klarar upp till 2,5 Gbit/s. Båda varianter kan konfigureras som fyra transceivrar eller åtta buffertkanaler.
Även multiplexrarna kommer i två varianter, DS42MB400 samt DS25MB400, och de skickar data med 4,25 respektive 2,5 Gbit/s. De fungerar både som dubbla 2:1 muliplexrar och 1:2 buffrar och är tänkta att användas i konstruktioner som kräver redundans.
Alla fyra nysläpp har ett jiter på 25 ps, vilket är runt 10 ps bättre vad närmaste konkurrent kan erbjuda.
– Buffertkretsen DS25BR400 gör att man kan öka kabellängden för PCI Express från dagens fem meter till 15 meter, säger Jeff Waters, produktansvarig på National Semiconductor.
Även kretsarnas effektförbrukning på 140 mW per kanal är marknadsledande.
– Vi ligger 20 till 30 procent lägre i effektförbrukning än närmaste konkurrenterna, säger Jeff Waters.
Kretsarna är tillverkade i den egenutvecklade kiselgermaniumprocessen BiCMOS8, som ligger till grund för den låga effektförbrukningen och låga jittret. Processen innebär att bor och kol med mycket god precision jonimplanteras i transistorernas bas, varvid bland annat kapacitansen minskar.
– Det ger transistorer med en övergångsfrekvens (fT) som är bättre än 50 GHz. Vi skulle kunna göra transistorer med 100 GHz övergångsfrekvens, men vi har optimerat processen efter vad dagens tillämpningar behöver, säger Jeff Waters.
