JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. GaN-transistorer för rymden

Nu kan även rymdtillämpningar dra nytta av de fördelar som krafttransistorer i galliumnitrid erbjuder, det vill säga mindre förluster, lägre vikt och kompaktare slutprodukt. Det är tyska Infineon som kvalificerat tre av sina HEMT:er i Coolgan-familjen enligt den amerikanska standarden MIL-PRF-19500/794.

Infineon har sedan tidigare kraftkomponenter i form av MOSFET-transistorer i kisel som används i satelliter och andra produkter som skickas ut i rymden.

Företaget adderar nu tre HEMT-transistorer i galliumnitrid som ingår i Coolganfamiljen och tillverkas i egen regi.

De är specificerade för 100 V och 52 A med ett RDS(on) på 4 mΩ (typiskt) och en total gateladdning (Qg) på 8,8 nC (typiskt).

De är kapslade i en hermetiskt tillsluten keramisk kapsel som ytmonteras. De tål singelevent med ett energiinnehåll på 70 MeV.cm2/mg.

Två av komponenterna kan absorbera upp till 100 krad respektive 500 krad men är inte kvalificerade enligt den amerikanska militärstandarden MIL-PRF-19500/794 medan den tredje, som även den kan absorbera upp till 500 krad, är det.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vakant

Sälj och marknads­föring +46(0)734-171099 ads@etn.se
Per Henricsson
Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

 
Jan Tångring
Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)