About / Advertise
Kiselskivor med en utsträckt kristallstruktur kan göra fältemissionstransistorer hela 80 procent snabbare. Det lovar ett nystartat amerikanskt företag, som vill konkurrera med självaste IBM om att leda tekniken på området.
IBMs satsning på så kallat "strained silicon" offentliggjordes i början av sommaren. Men nu utmanas företaget av nystartade Amberwave, som menar att de har teknik som kan göra sträckt kisel ännu bättre. I en utsträckt kiselstruktur ökar elektronernas rörlighet, vilket innebär att kretsar gjorda på skivor med sträckt kisel blir betydligt snabbare utan att transistorstorleken behöver minskas.
Amberwave har skaffat sig exklusiv licens till processteknik utvecklad vid MIT, Massachussetts Institute of Technology, som företaget hävdar gör att de kan föra tekniken ytterligare ett steg vidare.
Både Amberwave och IBM utnyttjar en slags mall bestående av en blandning av kisel och germanium för att "lura" ett tunt pålagt lager av kisel att sträcka ut sig för att passa ihop med mallens kristallstruktur. I kiselgermaniumlagret uppstår dock återkommande fel, som begränsar germaniuminnehållet.
IBM har därför bara lyckats utnyttja upp till 15 procent germanium. Tack vare den patenterade tekniken, som undviker problemet med de återkommande kristallstrukturfelen, säger sig Amberwave kunna utnyttja upp till 100 procent germanium. Om sedan bara det pålagda kisellagret är tillräckligt tunt kommer det att ställa in sig enligt germaniums kristallstruktur, hävdar företaget.
Amberwaves process innebär att germaniumhalten gradvis ökas i flera tunna lager som deponeras efter varandra. Kristallstrukturfelen åtgärdas med hjälp av ett kemiskt-mekaniskt poleringssteg mellan varje deponering.
Första generationen av företagets process, som fått namnet epsilon-MOS, utnyttjar en 20 procentig germaniumhalt, vilket enligt företaget gör NMOS hela 80 procent snabbare och PMOS upp till 20 procent snabbare. Företaget räknar dock med att snart kunna öka hålrörligheten, alltså PMOS, ytterligare. Detta är förövrigt något som forskare hos Hitachi redan säger sig ha gjort med hjälp av en liknande teknik.
Amberwave har börjat sälja egentillverkade kiselskivor med sträckt kisel, men planerar också att licensera ut sin process till andra företag.
Amberwave har skaffat sig exklusiv licens till processteknik utvecklad vid MIT, Massachussetts Institute of Technology, som företaget hävdar gör att de kan föra tekniken ytterligare ett steg vidare.
Både Amberwave och IBM utnyttjar en slags mall bestående av en blandning av kisel och germanium för att "lura" ett tunt pålagt lager av kisel att sträcka ut sig för att passa ihop med mallens kristallstruktur. I kiselgermaniumlagret uppstår dock återkommande fel, som begränsar germaniuminnehållet.
IBM har därför bara lyckats utnyttja upp till 15 procent germanium. Tack vare den patenterade tekniken, som undviker problemet med de återkommande kristallstrukturfelen, säger sig Amberwave kunna utnyttja upp till 100 procent germanium. Om sedan bara det pålagda kisellagret är tillräckligt tunt kommer det att ställa in sig enligt germaniums kristallstruktur, hävdar företaget.
Amberwaves process innebär att germaniumhalten gradvis ökas i flera tunna lager som deponeras efter varandra. Kristallstrukturfelen åtgärdas med hjälp av ett kemiskt-mekaniskt poleringssteg mellan varje deponering.
Första generationen av företagets process, som fått namnet epsilon-MOS, utnyttjar en 20 procentig germaniumhalt, vilket enligt företaget gör NMOS hela 80 procent snabbare och PMOS upp till 20 procent snabbare. Företaget räknar dock med att snart kunna öka hålrörligheten, alltså PMOS, ytterligare. Detta är förövrigt något som forskare hos Hitachi redan säger sig ha gjort med hjälp av en liknande teknik.
Amberwave har börjat sälja egentillverkade kiselskivor med sträckt kisel, men planerar också att licensera ut sin process till andra företag.
Gittan Cedervall
