About / Advertise
Knappt har den fjärde generationens mobilstandard LTE rullat ut från perrongen förrän siktet ställs in mot uppföljaren, LTE Advanced, med en datatakt på 1 Gbit/s i nedlänken. De första provkretsarna har redan levererats, enligt en rapport från Heavy Reading.
Att LTE är på väg mot en enorm framgång råder det ingen tvivel om. I dagsläget har 166 operatörer i 62 länder sagt att de ska införa systemet, varav 24 operatörer i 16 länder redan börjat kommersiell drift. Det gör LTE till den snabbast växande mobiltekniken i världen, enligt tidningen Heavy Reading vars analytiker Simon Mansfield nyligen skrivit en rapport om just LTE.I rapporten konstateras att ekosystemet kring LTE är i full sving. Över 50 kretsar har utvecklats specifikt för att stödja standarden. De flesta stöder 100 Mbit/s, den så kallade Cat 3, och några av de senaste stöder 150 Mbit/s, även kallad Cat 4. Bland företag som utvecklar både basbands- och applikationsprocessorer märks ST-Ericsson, Renesas, Intel och Nvidia.
Favoritkärnan är Arm Cortex A9, som används av Nvidia, Renesas, ST-Ericsson och Texas Instruments. Intel använder dock sin egen Atomkärna, och Qualcomm sina egna kärnor Scorpion och framöver Krait. Arms A15 väntas komma i slutet av året och spås få stor användning i denna nisch.
De första kretsarna som stöder både LTE och någon tidigare standard har börjat användas. Multimodekretsar som stöder såväl 2G som 3G och LTE är nästa våg, som väntas i början av 2012. Några av dessa kommer sannolikt även att stödja fler än ett LTE-band. Och utvecklingen går fort:
– De första kislen som stöder sådant som "carrier aggregation", Mimo för flera användare och stöd för LTE Advanced finns redan i provexemplar hos systemutvecklarna, berättar Simon Mansfield för nyhetsbrevet Cellular News.
Rapporten "LTE Baseband, RF & Application Processors" är på 44 sidor och innehåller information om 30 tillverkare av halvledare för LTE – rf-kretsar, basbandskretsar och applikationsprocessorer. Den kostar 3 995 dollar för en företagslicens i pdf-format.
