About / Advertise
Världens första ferroelektriska minnen – FRAM – om 4 Mbit är vad Ramtron erbjuder. Kretsarna är tillverkade av Texas Instruments i företagets 130 nm-process.
– Det här är ett stort steg för oss. Det har varit ett komplext utvecklingsarbete och det här är bara början på en helt ny era, säger Mike Alwais, marknadsansvarig på Ramtron. Ramtron och Texas Instruments har gemensamt utvecklat den ferroelektriska minnestekniken sedan år 2001. Men Ramtron har hittills tillverkat sina kommersiella minnen hos japanska Fujitsu i 0,5 och 0,35 µm, med en största storlek på 1 Mbit.
– Vår foundryöverenskommelse med Texas Instruments innebär att vi får använda deras 130 nm-process till vad vi vill och först ut är minnen på 4 Mbit, säger Mike Alwais.
Genom att ta klivet till 130 nm öppnar sig helt nya möjligheter, menar Mike Alwais. På sikt kommer med all sannolikhet styrkretsar med större inbyggda FRAM än idag. Likaså ser man minnen med lägre matningspänning framför sig. Dagens 4 Mbit-minne, FM22L16, matas med 3 V, men processen tillåter att man åtminstone går ner till 1,8 V.
Större minne kan också vara en väg att gå.
– Ja, vi tror att processen kan användas upp till 64 Mbit, om man tar hänsyn till kiselyta och yield. Men samtidigt som vi nu har många möjligheter är det marknaden som måste visa oss vilken väg de vill att vi ska gå, säger Mike Alwais.
Nykomlingen FM22L16 har 16 block med 256 kbit och åtkomsttiden är 55 ns. Minnet kan skriva i stort sätt obegränsat antal gånger, åtminstone 100 triljoner hävdar Ramtron, och mycket okänsligt mot fukt, chock och vibration. Det har SRAM-gränssnitt och är benkompatibelt med dagens asynkrona SRAM. Främst siktar det på en plats i industrimiljö som exempelvis i industrirobotar, men också i nätverk och flerfunktionsskrivare och bilnavigeringssystem.
Prover finns medan volymproduktionen beräknas vara igång under årets sista kvartal.
