Dessutom är tekniken effektsnål, tål oändligt antal skriv- och läscykler och behåller sitt innehåll även utan matningsspänning. Ett annat plus är att tekniken tål strålning, till skillnad från SRAM som vid krympande kiselgeometrier väntas få problem med så kallade mjuka fel, soft errors, orsakade av strålning. Därför sponsrar det amerikanska försvarets forskningsmyndighet Darpa MRAM-utvecklingen.
1998 byggde IBM det första fungerande MRAM-et. I somras slog Motorola ett nytt storleksrekord med en 1 Mbit krets. Det var ett testchips som integrerats med en 0,6 μm CMOS-process med kopparledningar. Läs- och skrivcykler tog mindre än 50 ns. Fast produktionen startar först år 2004.
En av utmaningarna med tekniken är just integrationen med CMOS. För att stärka MRAMs konkurrenskraft försöker minnestillverkarna även minska cellstorleken samt effektförbrukningen vid skrivning.
Ett MRAM utnyttjar att en ström genom en ledning skapar ett magnetiskt fält och vice versa. Förändringar i den magnetiska polarisationen ger en resistansförändring som motsvarar 1 eller 0. MRAM-cellen består av en transistor samt en så kallad MTJ-struktur, Magnetic Tunnel Junction, som placeras ovanpå transistorn för att spara yta.
Charlotta von Schultz