About / Advertise
Under ledning av ST Microelectronics ska projektet Dotfive på tre år försöka ta fram en kisel-germaniumbaserad transistor som ska klara 500 GHz, eller 0,5 THz. Projektet har fått 9,7 miljoner euro från EU-kommissionen, vilket gör det till det största elektronikprojektet inom sjunde ramprogrammet.
Ambitionen med Dotfive är att Europa ska ta ledningen inom området SiGe-HBT, Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors, en typ av transistorer som väntas få stor betydelse inom morgondagens kommunikation på millimetervågor och i terahertzområdet. Även radar, bildbehandling och sensorer är tänkbara tillämpningsområden. Projektledaren Gilles Thomas, till vardags forskningsledare på ST Microelectronics, konstaterar i ett pressmeddelande att högfrekvens är ett europeiskt styrkeområde, med tillämpningar som 77 GHz bilradar och 60 GHz wlan på väg ut på marknaden.
Målet 500 GHz är enligt Thomas högt men rimligt satt. Dagens SiGe-HBT:er klarar som mest 300 GHz vid rumstemperatur. För 500 GHz har forskarna hittills trott att det krävs så kallade III-V-material, som är betydligt dyrare och mer strömkrävande än SiGe.
Projektet omfattar 15 partner i fem länder. Från industrin deltar Infineon och ST Microelectornics, samt två mindre företag - franska Xmod och tyska GWT-TUD. Två forskningsinstitut är med, belgiska Imec och tyska IHP. Därtill deltar sju universitet, från Österrike, Frankrike, Tyskland och Italien. Ingen svensk aktör är med.
Projektbudgeten ligger på 14,75 miljoner euro, motsvarande 138 miljoner kronor, under tre år. Därav står EU-kommissionen för 9,7 miljoner euro och parterna själva för resten. Dotfive blir därmed det största projektet inom nanoelektronik under devisen "More than Moore" inom EUs sjunde ramprogram.
