
Kioxia och Sandisk har utvecklat en ny generation QLC-baserat 3D NAND-minne med en bittäthet på över 37 gigabit per kvadratmillimeter. Omräknat motsvarar det mer än 4,6 gigabyte lagrad data per kvadratmillimeter minnesyta.
Det nya minnet är den tionde generationen av bolagens 3D-flash och når enligt Kioxia och Sandisk den högsta bittätheten i branschen. Jämfört med den åttonde generationen har tätheten ökat med upp till 60 procent.
Minnet byggs i 332 lager. En viktig del av tekniken är CBA, CMOS directly Bonded to Array, där CMOS-logiken och själva minnesmatrisen tillverkas på separata wafers och därefter binds samman.
Tekniken gör det möjligt att optimera logik och minnesceller var för sig innan de sammanfogas. Resultatet är både högre densitet och bättre prestanda.
Den nya generationen når också ett gränssnitt på 4,8 Gbit/s. Enligt Kioxia och Sandisk är det första gången ett QLC-baserat 3D NAND-minne når den hastigheten. Gränssnittet bygger på Toggle DDR 6.0 och protokollet Separate Command Address, SCA.
Samtidigt har energiförbrukningen i I/O-gränssnittet minskats med tekniken PILTT, Power Isolated Low Tapped Termination. Det är särskilt viktigt i stora lagringssystem där både effektförbrukning och kylning blivit centrala begränsningar.
Kioxia och Sandisk riktar den nya flashgenerationen framför allt mot AI-infrastruktur, molnplattformar och hyperskaliga datacenter, där behovet av hög lagringskapacitet fortsätter att öka snabbt.




