About / Advertise
Ett mikroskop som detekterar potentialförändringar ovanför en yta ligger till grund för en ny beröringsfri testmetod för integrerade kretsar.
Enklare och exaktare testning av komplicerade integrerade kretsar tror sig brittiska forskare kunna lova tack vare utvecklingen av en beröringsfri testmetod. Med hjälp av ett avancerat scannande mikroskop, som mäter förändringar i elektrisk potential ovanför en yta, har forskare vid universitetet i Brighton i södra England, tagit fram bilder av VLSI-kretsar vid olika funktionstillstånd och med en upplösning på ±1 μm. Forskarna menar att metoden dels underlättar upptäckten av felaktiga kretsar direkt vid tillverkningen och dels gör det möjligt att spåra felkällan.
Forskarna beskriver metoden som en nära nog perfekt voltmeter. Tack vare mycket höga impedanser krävs ingen direktkontakt med de kretsar som ska avbildas. De prober av volfram som man utvecklat placeras istället ett fåtal mikrometer över en krets, som därmed tillsammans med proben bildar en kondensator.
Andra funktioner
Proberna kan dock utnyttjas för en rad olika ändamål. Om de görs större kan de exempelvis utnyttjas för att skapa rörliga bilder av de elektriska impulserna i hjärtat och om de görs riktigt små kan enskilda elektroners vandring i en krets följas och avbildas. De kan också användas för mätning av såväl ledande och halvledande som isolerande material.
Om en enda prob utnyttjas tar avbildningen av en krets mellan 20 och 30 minuter. Men tiden kan kortas betydligt genom att ett antal prober kopplas samman. Forskarna, som leds av professor Terry Clark, menar att tekniken borde kunna få stor användning för avbildning av extremt komplicerade kretsar och vid prototyputveckling. Dessutom kan tekniken utnyttjas vid tillverkning av fotomasker eller vid felsökning lager för lager i kretstillverkningen.
Gittan Cedervall
