... in på ett spänningsområde där kiselkarbid hittills haft ett tydligt övertag.
Forskarna vid EPFL:s POWERlab har utvecklat en ny transistorstruktur som kallas intrinsic polarization superjunction, iPSJ. ...
... , fått dominera de högre spänningsnivåerna. Med 2200 V börjar GaN därför kliva in på ett område som hittills varit SiC:s hemmaplan.
Det gäller inte minst AI-datacenter. Dagens nya arkitekturer går mot ...
... iselkarbid (SiC), samtidigt som den höga switchfrekvensen hos GaN kan utnyttjas även i betydligt kraftfullare kraftomvandlare.
Den högre spänningsklassen är främst avsedd för nästa generations AI-datacent ...
... Semi och Swegan.
För den som inte känner igen Scape kanske de tidigare namnen är mer bekanta, ISiCPEAW eller IWBGPEAW. Hur som helst är det en tvådagarskonferens som föregås av en utbildningsdag arrange ...
... Semi och Swegan.
För den som inte känner igen Scape kanske de tidigare namnen är mer bekanta, ISiCPEAW eller IWBGPEAW. Hur som helst är det en tvådagarskonferens som föregås av en utbildningsdag arrange ...
... dra kretsar som används för att köra inferenser och andra energislukande uppgifter.
Den första gemensamma produkten är RRV-serien men bolagen planerar för fler moduler där Renesas smarta kraftsteg in ...
... kring halvledare med brett bandgap, framförallt SiC men också GaN, och att nå ut till nya aktörer, främst företag.
Den 14 maj arrangerar centret en kostnadsfri heldag inne på KTH med deltagare frå ...
... bala satsningar liksom hur de svenska fordonstillverkarna resonerar.
För den som inte känner igen Scape kanske de tidigare namnen är mer bekanta, ISiCPEAW eller IWBGPEAW. Hur som helst är det en t ...
... asic som klarar 200 Gbit/s. MXO-EP har kraftfull signalbehandling (ovan) och ett generöst minne (nedan). R&S®MXO 5 har två asicar för att fånga signalerna med världsledande prestanda
St ...
... ör radionätets mjukvara, det Ericsson kallar Cloud RAN.
Ericssons egenutvecklade asicar – Ericsson Silicon – lyfts allt oftare fram som en förklaring till att radioprodukterna är världsledande. Den senas ...
... alleled in the industry, was made possible with a unique 200 Gbps processing ASIC (MXO-EP, see Fig 2), one of several new technology blocks developed by Rohde & Schwarz engineers and implemented in t ...
... net SCAPE – en konferens som tidigare även varit känd under namnen ISiCPEAW och IWBGPEAW.
Årets SCAPE 2022 är likt tidigare ett tredagars event som inleds med en så kallad ”tutorial day” den 15:e ma ...
... naged eller managed. Skillnaderna i detalj framgår av specifikationen, men det viktiga att ta med sig är att alla dessa moduler och bärarkort är interoperabla vad gäller IPMI – alla typer av bärarkort fung ...
... isolering krävs inte om –48 V redan är isolerad från elnätet).
Det är uppenbart att det finns en enorm marknadspotential med tanke på alla 48 V-omvandlingar på olika effektnivåer i AAU:er, och även i BBU:er ...
... ag – exempelvis Wolfspeed, ST Microelectronics, United SiC och Panasonic – medan andra gjort det. I skrivande stund kan du exempelvis läsa att Robert Bosch ska tala om SiC i fordon, medan Rohm Semicon ...
Hur är det med tillförlitligheten hos dagens komponenter i kiselkarbid? Går det att lita på MOSFET:ar i SiC eller kraftmoduler baserade på SiC-kretsar? Det är frågor som tas upp under ett seminarium ar ...
... da erfarenheter inom SiC och GaN, men också för att nå ut till nya aktörer, främst företag.
Det aktuella seminariet, döpt till ”SiC Power MOSFETs performance, robustness and reliability, status and tren ...
... addare matade med trefas. I början av året drog Micropower igång volymtillverkning av sina första laddarna med kiselkarbid, SiC . Och fler ska det bli.
Elektroniktidningen har talat med bolag som ...
... ttbar.
− Ja, grovt stämmer det. Med DCC2 ligger vi mycket nära 96 procent även om verkningsgraden beror av vilken arbetspunkt man kör. Genom att byta till SiC höjer vi verkningsgraden med mellan fem och sex ...
About / Advertise 
