Fast från allra första början har tekniken sina rötter i minnestillverkaren Qimondas forskningslabb. Redan i början av 2000-talet ledde forskningen här till flera grundläggande patent kring ferroelektricitet i dopad hafnium; patent som sedan gick till NaMLab efter det att Qimonda försatts i konkurs.
För två år sedan kunde principen visas genom en hafniumbaserad ferroelektrisk FET, FeFET, tillverkad i 28 nm av Globalfoundries, som har en fabb i Dresden, och Fraunhofer CNT. Sedan dess har de två parterna fortsatt att studera och utveckla minnestekniken i ett gemensamt projekt.
Vid en jämförelse med flashteknik så har FeFET:ar snabbare åtkomsttid och mycket lägre energiförbrukning vid höga datahastigheter, enligt forskarna. Till detta hör att minnescellerna ska vara lätta att integrera i CMOS, vilket är en stor fördel.
– Hittills har vi visat 100 bit som fungerar, nu vill vi göra arrayer med 1 kbyte till 1 Mbyte tillsammans med periferienheter. Detta kommer att ske på multiprojektwafer i 28 nm CMOS under 2016, säger Stefan Müller, vd på FMC i en intervju med EETimes.
Stefan Müller, Marko Noack och Jörg Andreas är trion från NaMLab som nu ska dirigera FMC mot kommersialisering av den nya minnestekniken.