Ericsson kommer under våren att lansera en lång rad nya effekttransistorer för radiobasstationer till flera olika frekvensband.
Tekniken man använder kallas LDMOS, som i Ericssons tappning fått benämningen Goldmos.I takt med att antalet basstationer ökar, både genom förtätning och tack vare nya standarder, så ökar också behovet av effekttransistorer för dessa. Ericsson Microelectronics kommer under våren att lansera
en hel rad, och planerar att fyrfaldiga produktionskapaciteten för att möta efterfrågan.
Kislen görs i Kista och skeppas sedan till Kalifornien för kapsling. Transistorerna görs i en MOS-teknik kallad Goldmos. De flesta nya transistorerna kommer från fjärde och femte generationen av denna teknik, men Ericsson har också planer på en sjätte och sjunde generation.
Geometrierna krymper successivt: från 0,8 μm i Goldmos IV via 0,6 till 0,5 μm i Goldmos VI. För sjunde generationen, vars första provexemplar inte väntas förrän tidigt nästa år, är kanallängden hittills okänd. Effekten, förstärkningen, verkningsgraden och driften förbättras en hel del för varje generation. Samtidigt ökar man också automatiseringen i produktionen.
Tittar också på nya materialDe nya produkterna är avsedda för såväl WCDMA som för de idag vanligaste frekvensområdena 860-960 MHz och 1800-2000 MHz. För WCDMA har man producerat prototyper för 150 W med 9 dB förstärkning, i Goldmos IV. De första provexemplaren gjorda i Goldmos V klarar 130 W vid 10 dB förstärkning. Men även för lägre effekter kommer en hel del produkter, exempelvis en enstegs (single- stage) 20 W-transistor för 860-
960 MHz, två 25 W-transistorer för 2,1-2,2 GHz samt 80 W-versioner för 1,8-2,0 och 2,1-2,2 GHz.
Ericsson gör även bipolära effekttransistorer. Utvecklingen där gäller framför allt för frekvenser över 3,5 GHz, där LDMOS ännu inte klarar lika höga effekter. Man jobbar också med nya material som kiselgermanium och kiselkarbid, men dessa befinner sig ännu på labbstadiet och några produkter är ännu inte planerade för lansering.
Adam Edström