About / Advertise
Idag utvecklar så gott som alla större krafthalvledar-företag MOSFET:ar i kisel-karbid, för att nå högre spänningar och effekter.
Rohm Semiconductror började sin SiC MOSFET-bana redan år 2010. I maj, på kraftmässan PCIM i Nürnberg, lanserade företaget sin tredje kretsgeneration. Cree lanserade sina första SiC MOSFET:ar i januari år 2011. Idag är företaget inne på sin andra kretsgeneration.  |
| ST:s första kommersiella SiC MOSFET för power. |
Även Toyota utvecklar krafthalvledare i kiselkarbid. Nästa år ska kretsarna sitta i företagets elbilar för test i vanlig trafik. Planen är att kretsarna ska ta plats i Toyotas flotta av elfordon och hybrider redan år 2017–2018.
Fairchild – som genom köpet av svenska Transic satsat på BJT i SiC – ser numera MOSFET:en som det bästa framtidsalternativet. Till och med Infineon, som länge satsat stenhårt på JFET i SiC, talar öppet om att företaget utvecklar SiC MOSFETar parallellt med JFETar.
Fast Infineon, som tillhör ledarna inom detta gebit, satsar även på galliumnitrid. I somras köpte företaget GaN-pionjären inom kraft, International Rectifier, för 3 miljarder dollar. Främst lockade IR:s kompetens inom GaN-epitaxi på kiselsubstrat (GaN-på-Si). I och med köpet har Infineon kontroll över en komplett kraftportfölj som täcker över kisel, kiselkarbid och galliumnitrid liksom moduler som tillåter hybridlösningar.
Klart är att krafthalvledarföretagen inte kommit lika långt med GaN som med SiC, men intresse finns definitivt. Infineon är där. Likaså planerar Fairchild att intensifiera sin GaN-utveckling nästa år.
Hittills är det dock mer nischade företag som har krafttransistor i GaN-på-Si redo för marknaden. GaN Systems säger sig vara först att erbjuda en bred produktportfölj. Sedan september i år säljer företaget 100 V och 600 V GaN-transistorer genom Mouser Electronics.
Nykomlingen EPC (länk) lanserade sina första krafttransistorer i GaN-på-Si för fem år sedan. Under de senaste tre månaderna har företaget rullat ut ett stort antal kretsar i sin 4:e generation krafttransistorer.
Ytterligare ett företag värt att nämna är Transphorm. Företaget, grundat år 2007 med rötter i University of California, säger sig ha varit först i världen med att kvalificera GaN-på-Si-transistorer för 600 V. För några veckor sedan avslöjade företaget även ett samarbete med On Semiconductor. De två ska i gemensam regi ta fram en första hybridlösning där 600 V GaN HEMT:ar från Transphorm samsas under samma skal som lågspända MOSFET:ar i kisel från On Semiconductor.
Läs också:
Kisel utmanas av kiselkarbid och galliumnitrid
Defekter hejdar GaN:s framfart inom kraft
