About / Advertise
Kraftkretsar i galliumnitrid är framtiden. Det hävdar analysföretaget Isuppli som spår att marknaden för power management-kretsar i galliumnitrid kommer att växa från ingenting till drygt 180 miljoner dollar inom tre år.
Analysfirman Isuppli pekar ut galliumnitrid som det framtida halvledarmaterialet för kretsar som sköter effekthanteringen i en mängd framtida kommunikationsprodukter, såsom mobiltelefoner, datorer i olika format och andra trådbundna prylar. År 2013 spår Isuppli att marknaden för dessa kretsar når en omsättning på 183,6 miljoner dollar, jämfört med nära noll idag. Tillväxten kommer dock att vara trög till en början, eftersom priset på GaN-kretsar fortfarande är högt. Mot slutet av år 2010 antas priset bli konkurrenskraftigt på allvar, vilket innebär att kretsarna kommer att stjäla marknadsandelar av traditionella MOSFET:ar, drivkretsar och spänningsregulatorer.
Isuppli försvarar sin analys med att kisel nu har nått sin begränsning i detta sammanhang samtidigt som galliumnitrid har mognat som material under de senaste två åren. Framförallt har det gjorts stora framsteg som innebär att man numera kan växa lager av GaN på kisel med mycket gott resultat. Det innebär, enligt Isuppli, att man numera kan tillverka tillförlitliga kretsar som har högre verkningsgrad men mindre storlek än kisel-diton, vilket är mycket lockande egenskaper i speciellt bärbar konsumentelektronik
På senare tid har flera företag börjat erbjuda GaN-kretsar. I februari släppte exempelvis International Rectifier sina första kommersiella kraftkretsar tillverkade i galliumnitrid (se länk) medan nykomlingen EPCC (Efficient Power Conversion) satsar allt på GaN-teknik.
EPCC grundades av tre personer år 2007, däribland Alex Lindow som då styrt International Rectifier i hela trettio år. Företaget tillverkade sin första GaN-transistor hos ett taiwanesikt foundy i fjol och planerar att inom kort släppa tio MOSFET:ar tillverkade i GaN.
