Premiär för IR:s GaN-kraft
Amerikanska International Rectifier har lanserat sina första kommersiella kraftkretsar tillverkad i galliumnitrid. De har högre verkningsgrad och switchar dubbelt så snabbt som kiselbaserade alternativ, hävdar företaget.Kretsen iP2011 klarar 7 till 13,2 V in, 0,6 till 5,5 V ut och levererar som mest 20 A. Kretsen kan switcha med hela 5 MHz, vilket innebär att storleken på de passiva kringkomponenter som används kan krympas rejält jämfört med då kiseldito används, hävdar IR.
Systerkretsen iP2010 hanterar samma spänningsnivår som iP2011 men switchar maximalt med 3 MHz, och levererar hela 30 A.
Kretsarna finns tillgängliga och är benkompatibla. De kommer kapslade i LGA, som mäter 7,7 x 6,5 mm.