About / Advertise
Kampen om nästa generations krafthalvledare är igång och halvledartillverkarnas labb går på högvarv. On Semiconductor och Transphorm avslöjar att de i gemensam regi ska ta fram en första 600 V GaN-lösning, med prover framme redan i år.
| BAKGRUND Ännu är det kretsar i kisel som har grepp om marknaden, men på sikt spås material som galliumnitrid och kiselkarbid ta över. Transphorm, grundat år 2007 och med rötter i University of California, var först i världen med att kvalificera GaN-on-Si-transistorer för 600 V. Det handlar alltså om transistorer skapade i GaN-epitaxi som växt på kiselskivor, vilket är en förutsättning för att få ner priset på denna typ av kretsar. Sedan mer än ett år tillbaka tillverkar och skeppar Transphorm sina HEMT-transistorer till olika kunder, där HEMT står för High-electron-mobility transistor. |
On Semiconductor är ett av dessa, så nyligen tecknade de två ett samarbetsavtal med mål att få ut kraftlösningar som mixar transistorer i både kisel och GaN.
– On Semiconductor ser tydligt de fördelar som GaN kan tillföra kraftelektronikmarknaden och vi är entusiastiska över att samarbeta med en erkänd ledare inom detta område, samtidigt som vi driver vår egen GaN-utveckling, säger Bill Hall ansvarig för standardprodukter på On Semiconductor i ett pressmeddelande.
I en första vända ska de två företaget ta fram kraftlösningar för tillämpningar som kräver 200 till 1000 watt, såsom kraftförsörjning inom telekom och servermarknaden. Under skalet kommer 600 V HEMT:ar från Transphorm att samsas med lågspända MOSFET:ar i kisel från On Semiconductor.
Kapsling, montering och test kommer att hanteras av ON Semiconductor vid företagets produktionsanläggningar. Planen är att de första proverna ska finnas tillgängliga innan årets slut.
