IGBT:n kallas ibland för den ideala kraftkomponenten. Den tål spänningar upp till 1 200 V, strömmar upp till ett par hundra Ampere.
Alla viktiga fabrikat finns tillgängliga i Sverige.
IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, kombinerar egenskaperna hos tyristorn och den vanliga MOS-transistorn. Tyristorer är bra på att snabbt tända och släcka stora strömmar, men kräver för det mesta filter och avstörningskretsar. Det behöver inte MOS-transistorerna, men dessa tål å andra sidan inte särskilt höga strömmar.
En IGBT, som i vissa fall även kallas IGT eller COMFET, Conductivity Modulated Field Effect Transistor, ligger närmare transistorn än tyristorn.
IGBT:n styrs av mycket svagare strömmar än tyristorn och kan inte hantera lika stora strömmar och effekter. Men den utvecklas vidare, och ABB har börjat använda IGBT:er i kraftöverföringar för högspänd likström - ett område där tyristorerna länge var den enda möjliga krafthalvledarkomponenten.
Annars är industritillämpningar som motorstyrningar, svetsutrustningar och tåg några av de vanligaste platserna för IGBT:er. Men Ericsson har börjat använda dem i en del switchade strömförsörjningsanläggningar. Om och när elbilarna slår igenom kommer marknaden för IGBT:er att få en rejäl skjuts. Elbilen sägs nämligen vara den perfekta tillämpningen för just denna komponent.
Mellan 200 och 1 200 V
Standard-IGBT:er klarar spänningar upp till 1 200 V. Nedåt går den ekonomiskt vettiga gränsen ungefär vid 200 V. Under det är MOSFET fortfarande allenarådande.
En IGBT begränsas delvis av värmeutvecklingen, som i sin tur har att göra med verkningsgraden. Hur stor denna verkningsgrad blir beror i stor utsträckning på tilllämpningen. Oftast behövs dock någon form av kylfläns.
På den svenska marknaden förekommer idag något dussin fabrikat. De flesta för både diskreta kretsar och moduler med flera IGBT:er sammanbyggda. Då fabrikaten i stor utsträckning överlappar varandra vad gäller prestanda kan det ofta vara på sin plats att ta kontakt med mer än en tillverkare.