Processnoden A14 ska vara redo för volymtillverkning år 2028 och förväntas ge upp till 15 procent högre klockhastighet, alternativt 30 procent lägre effektförbrukning, plus 23 procent fler transistorer per ytenhet.
Siffror är jämfört med N2-processen som går i volymproduktion i år.
TSMC släppte nyheten på ett tekniksymposium i USA nyligen, berättar Toms Hardware.
A14 ska få en andra generation av GAA-transistorn, Gate-all-around. Den förväntas bidra till att öka klockhastigheten 15 procent vid samma effektförbrukning som i N2. Alternativt kan man sänka effektförbrukningen med upp till 30 procent om klockhastigheten är oförändrad.
Antalet transistorer per ytenhet ska öka med 23 procent.
TSMC tänker inte använda strömmatning från baksidan i A14. Den prestandahöjaren får vänta tills A14 kommer i en uppdaterad version ett år senare, år 2029.