Tyska Infineon lanserar IGBT- och RC-IGBT-komponenter för elbilar i en ny teknik som ger kunden möjlighet att skapa egna kraftmoduler.
Den nya IGBT-chipet EDT3 (Electric Drive Train 3) har upp till 20 procent lägre totala förluster än nuvarande EDT2 vid höga belastningar. Samtidigt bibehålls effektiviteten vid låga belastningar. Infineon har optimerat chipförlusterna och höjt maximala övergångstemperaturen och ska ha uppnått en balans mellan högbelastningsprestanda och lågbelastningseffektivitet.
Nettoresultatet för elbilen är att EDT3 ger längre räckvidd och lägre energiförbrukning.
EDT3 finns i spänningsklasserna 750 V och 1200 V. Chipet är dessutom mindre vilket gör det möjligt att bygga mindre moduler, vilket ger lägre totalkostnad. Maximal virtuell övergångstemperatur är 185°C.
Infineon använder själv EDT3-IGBT i sin kraftmodul Hybridpack Drive G2. Den täcker ett effektområde på upp till 250 kW inom spänningsklasserna 750 V och 1200 V och tillför nya funktioner som integrationsmöjlighet för nästa generations fasströmssensorer och inbyggd temperatursensorik.
Infineon släpper också en RC-IGBT med integrerad diod för 800-voltssystem.
Alla chipkomponenter erbjuds med kundanpassade layouter, inklusive inbyggda temperatur- och strömsensorer. Dessutom finns olika metalliseringsalternativ för sintring, lödning och trådbondning tillgängliga på begäran.
Prover finns idag.