JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. I super-DRAM ryms tio bitar i varje minnescell

Ny analog teknik gör det möjligt att lagra upp till 10 bitar i varje minnescell i ett dynamiskt RAM.

Det lilla amerikanska företaget Solidas har utvecklat en teknik som kan revolutionera DRAM-industrin. Genom att noggrant eliminera alla tänkbara brus- och instabilitetskällor har Solidas kunnat lagra analoga spänningar i DRAM med tio bitars upplösning.

- Vi tror att en kommersiell produkt baserad på tekniken skulle kunna innehålla sex bitar per cell, säger Solidas vice VD Greg LeVeille till den amerikanska tidningen Electronic Engineering Times.

Varje cell innehåller två transistorer och en kondensator, och är därmed större än en konventionell DRAM-cell. Anordningen med två transistorerna minimerar bruset som uppstår när spänningsnivån i cellen ändras. Konstruktionen eliminerar också bottning och minskar kanalimpedansen i cellens styrtransistor. Tillsammans gör detta att en mycket exakt spänning kan läggas på cellens kondensator.

DA- och ad-omvandlare



För att skriva i minnescellen måste data passera genom en DA-omvandlare för att skapa en analog spänning. Vid läsning förstärks signalen som sedan AD-omvandlas.

Solidas har idag demonstrerat ett 64-bitschips. Utvecklingen har stötts finansiellt och med fabrikskapacitet av National Semiconductor. Det företaget drar sig dock tillbaka nu, och Solidas letar efter nya samarbetspartners.

Vissa tekniska problem kvarstår, trots att man eliminerat bruset. Bland annat varierar cellkapacitansen i chipset beroende på temperatur, vad som hänt tidigare i cellen och var cellen befinner sig. Detta gör att man behöver en särskild differentiell sensorteknik som jämför en cells kapacitans med en närliggande referens.

Eftersom spänningen på kondensatorerna avtar med tiden krävs återuppladdning - refresh - av kondensatorerna mycket oftare än i ett vanligt DRAM. Vidare går det långsammare att läsa från minnet när det krävs en AD-omvandling för varje läst bit.

Enligt Solidas kan man tillverka 512 Mbits-minnen med den här tekniken i de 0,35 μm-processer som används idag. Men tekniken kan också utnyttjas för att tillverka tillräckligt stora, kommersiellt gångbara minnen i exempelvis 0,5 μm- processer, som annars anses föråldrade.

Mikael Zackrisson

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)